体球网比分:二線晶圓廠的角逐

發布時間:2019年12月10日 09:12    發布者:小編
關鍵詞: 二線 , 晶圓廠
來源:半導體行業觀察

隨著工藝節點的推進,因為技術難度的增加,投入成本的大幅增加,先進制程現已經成為三星和臺積電兩家的游戲。這兩家也占據了大部分份額,根據拓墣產業研究院發布的今年第三季度全球晶圓代工廠商的排名預期中可以看出,僅臺積電一家就占據了一半的市場份額,三星今年也是發生了大躍升。

那就讓聯電、格芯和中芯國際這些廠商事實上成為了二線的晶圓代工廠。

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這幾家二線晶圓廠的共同點都是在成熟制程上發力,相對于先進制程的競爭,在二線的競爭更加慘烈,不但有看得見的“敵人”,還要提防潛在的“敵人”后來者居上。不同點是中芯國際作為中國晶圓廠的擔當,他們有一顆成為一線晶圓廠的心。

下面我們來看一下這些二線晶圓廠的最新動向。

二線晶圓廠們都在做什么?

聯電工藝策略大轉型


聯電近兩年已經不再追逐12納米以下先進制程,此舉也宣告聯電營運策略大轉型,并主攻以車用5G、IoT為主。2017年7 月,聯電共同總經理王石曾表示,在先進制程戰爭中,聯電的客戶群縮小,但先進制程每個節點的演進,其產能投資成本愈來愈高,所以很容易發生當聯電趕上最新制程時,這項新制程已過了價格最高的黃金時期,因此聯電大膽將重點放在成熟制程。

10月1日,聯電取得日本12吋晶圓廠三重富士通半導體所有股權,也使得聯電10月營收達145.87億元,月增34.7%,較去年同期增15.98%,并創下歷史最高營收記錄。順利并購后讓聯電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

除此之外,聯電近期還傳出接下三星大單的好消息。業界傳出,聯電已獲得三星LSI的28納米5G智能手機影像訊號處理器(ISP)大單,明年開始進入量產,加上三星手機OLED面板采用的28納米或40納米OLED面板驅動IC訂單到位,第一季產能利用率可望達到滿載水準。

而在此之前,聯電就是韓國AnaPass以及Magnachip的代工廠商,分別為這兩家企業代工面板方面的芯片,前者為28納米OLED面板驅動IC,后者則有40納米OLED面板驅動IC以及80納米TDDI,值得一提的是,這兩家企業都是三星的OLED面板的主要芯片供應商。這也意味著聯電打入了三星的供應鏈。

三星將ISP訂單交給聯電,還是有自己的考量的,在代工市場可謂是群雄涿鹿,尤其是對于三星和臺積電來說,儼然成了生死對頭!兩家對先進制程的追逐戰激戰正酣,鑒于聯電已經放棄先進制程的追逐,所以三星與聯電是沒有先進工藝的競爭的。

展望4季度,聯電看好來自通訊及電腦市場的5G手機射頻晶片、有機發光二極體(OLED)和固態硬碟電源管理晶片等客戶在第4季的需求。聯電預期,第4季晶圓出貨量將增加10%,產品平均售價將持平表現。法人推估,聯電后續11月及12月營收可能略降至135億元左右水準。

淡季不淡,種種跡象表明,聯電自2017年啟動的強化成熟工藝市場、實現差異化轉型策略正在取得進展。

格芯差異化競爭

曾經在晶圓代工界排名第二的格芯,坐擁全球 11 座晶圓廠。但格芯近年的IC之路是艱難的,連賣4座大廠,出售光掩模業務,格芯真的是在“斷臂求生”。在先進制程方面,自Tom Caulfield接任格芯首席執行官后,便在公司戰略上做出了大的調整。2018年8月,格芯宣布放棄擱置7納米FinFET項目,放棄追趕最尖端的先進工藝演進步伐,轉而將發展重點放在差異化產品解決方案的市場之上。

有業內人士分析,格芯持續多年虧損一個重要原因來自于先進制程的研發投入。此前半導體行業專家莫大康指出,隨著半導體產業分化加劇,很多企業的發展將會偏向于選擇更加務實的方式。

雖然放棄了7納米的項目,但是不代表格芯將在新技術上無所作為。今年8月,格芯就采用12nmFinFET工藝,成功流片了基于ARM架構的高性能3D封裝芯片。隨著運算的復雜化,近年來,3D封裝成為半導體巨頭的發展重點,英特爾、臺積電和三星在3D封裝上也是下了不少功夫。格芯此番入局3D封裝,這就意味著格芯將與英特爾、臺積電等公司一道競爭異構計算時代的技術主動權。

正如格芯在宣布暫時退出7nm競爭之時所表達的:目前公司正在重塑其技術組合,重點關注為高增長市場中的客戶提供真正的差異化產品。為此,格芯一是將相應地優化開發資源,讓14/12 納米FinFET平臺為這些客戶所用,提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創新IP及功能;二是繼續側重于FDX平臺、領先的射頻產品(包括 RF SOI 和高性能鍺硅)和模擬/混合信號,以滿足越來越多低功耗、實時連接、車載設計需求的其他技術。

據半導體行業觀察之前的報道講到,在射頻方面,格芯也有全球領先的技術。他們率先推出的,包括高性能以及功率放大技術在內的鍺硅技術受到市場一致好評。現在市場上流行的RF- SOI 技術也是格芯首創的。

另外,格芯差異化服務的另外一個支柱就是模擬混合信號AMS這一塊。格芯全球銷售和業務發展的高級副總裁Mike Cadigan表示,公司在這塊主要關注幾個方面:高壓CMOS、嵌入式閃存、BCD以及BCD Lite。這也將會是他們未來發展的一個重要動力來源。

為了更好的提供這些差異化服務,10月10日,格芯已從保加利亞索非亞的Smartcom Bulgaria AD收購了PDK(工藝設計套件)工程團隊。PDK是IC設計與制造客戶芯片產品的晶圓廠之間的關鍵接口。新收購的團隊將增強格芯的規模和能力,同時增強其專用應用程序解決方案的競爭力,進一步定位公司的增長和價值創造。

中芯國際連年擴產

中芯國際這幾年發展勢頭正旺,產能連年吃緊,在11月21日的ICCAD年會上,中芯國際全球銷售與市場資深副總裁彭進講到,中芯國際從8英寸到12英寸,從180nm到280nm的產能都十分緊張,這主要是因為過去幾年持續的客戶合作,中美貿易問題也使得中國開始構建本地產業鏈,這另一方面對中芯國際也帶來了正面影響。

中芯國際的晶圓廠主要分布在北京、上海、天津和深圳這4個城市,其中,北京以12吋線為主,上海和深圳各有一座8吋廠,上海的月產能約為112K,深圳的月產能約為52K。而天津才是該公司8吋廠的主陣地,有一個老廠和一個新廠,老廠的月產能約為58K,新廠則有望成為世界單體規模最大的8吋晶圓產線。

除此之外,中芯國際的產能還在持續擴產,明年8英寸月產能將擴產2.5萬片,12英寸擴充3萬片,以此來應對全世界對中芯國際的產能需求。

不止擴產,中芯還建立了另外一個工廠。2018年3月1日,中芯國際、紹興市政府、盛洋集團共同出資設立了中芯集成電路制造(紹興)有限公司,這也是也是中芯國際在上海以外,第一座專門聚焦于特色工藝集成電路制造的晶圓廠。

作為浙江省第一條8英寸晶圓代工生產線,中芯國際紹興8英寸生產線項目正在有序進行。11月16日,在中國(紹興)第二屆集成電路產業峰會上,中芯國際宣布,中芯紹興項目順利通線投片。

中芯紹興項目聚焦微機電和功率器件集成電路領域,定位于面向傳感、傳輸、功率的應用,提供特色半導體芯片到系統集成??櫚拇し?,這將與中芯國際實現產業鏈上的差異化互補和協同發展,形成一個綜合性的特色工藝基地。

二線晶圓廠的競爭只多不少


從制程工藝節點演變角度來看,28nm及以上可以看做是相對成熟的制程,憑借高性價成熟制程比依然擁有較大的市場規模,存量上基本保持不變或輕微下降,但是由于28nm及更先進制程的市場規模逐漸擴大,成熟制程的市場占比會不斷下降,但是成熟制程的玩家卻越來越多,競爭只會越來越激烈。

根據科技新報的報道,聯電與臺灣地區知識產權大廠智原科技于18日宣布,推出基于聯電22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)制程的基礎元件IP解決方案。此前。格芯也在22nm上積極布局,他們曾表示22FDX制程技術是其最重要的技術平臺之一,格芯還在2018年7月表示,其22FDX技術在全球獲利了超過20億美元的營收,并在超過50項客戶設計中得到采用。

事實上在聯電與格芯兩家晶圓代工大廠放棄先進制程的研發之后,成熟制程的發展就成為這兩家廠商的競爭重點。從上面22nm的布局也可以看出,兩家“你追我趕”的大戲不斷上演。

除同品階的晶圓廠商角力之外,次一級乃至IDM廠商都在入局成熟制程,所以成熟制程的賽道會越來越擠。據新電子此前的報道,成熟制程投資門檻較低,也意味著產能的供需平衡更容易被撬動。浴火重生的力晶不僅已在晶圓代工領域站穩腳跟,近日更宣布將斥資新臺幣2,780億元在銅鑼興建兩座12吋晶圓廠,主攻的就是驅動IC、電源IC這類使用成熟制程的產品。再加上28nm也在華虹宏力的射程范圍之內。在IDM業者的動向方面,全球類比芯片龍頭德州儀器(TI)近期也宣布將在美國投資32億美元,興建新的12吋廠。

追逐先進制程的赤子心

除了英特爾、三星和臺積電在積極的追逐10nm、7nm、5nm甚至更先進的進程,聯電和格芯又放緩了腳步,這對于中國本土的晶圓廠而言,是個不錯的發展機遇。中芯國際這些年在工藝的突破頻頻告捷,國產芯片崛起可期。

從中芯國際Q3財報中得出,在工藝上,中芯國際的收入占比分別是150/180nm (35.8%)、55/65nm (29.3%)、40/45nm (18.5%)、110/130nm (6.6%)、250/350nm (4.2%)、28nm (4.3%)、90nm (1.3%),占大頭的依然是成熟的150/180nm、55/65nm工藝,最先進的28nm工藝占比只有4.3%,不過相比上季度的2.8%已經開始增長。

在技術方面,中芯國際聯合首席執行官,趙海軍博士和梁孟松博士評論說:經過兩年的積累,我們不僅進一步縮短先進技術的差距,也同時全面拓展新的成熟工藝技術平臺,有信心隨著5G終端應用發展的浪潮步入新的發展階段。

除此之外,中芯國際的FinFET技術研發不斷向前推進:第一代FinFET(14nm)已成功量產,四季度將貢獻有意義的營收;第二代FinFET(改進型的12nm工藝)研發穩步推進,客戶導入進展順利。

前段時間“EUV禁運”的事件引得業界廣泛關注,但ASML與中芯國際已經雙雙否認。但從這個留言我們除了看到EUV光刻機的重要性,也可以看到國人對本土晶圓廠的先進工藝的關注。如果7nm工藝研制成功,作為國產芯片制造的領頭羊,這對國內有很重要的意義,同時也將領先于聯電、格芯,縮小與三星和臺積電的差距。

按照中芯國際所說的進展,中芯國際與國際最先進水平也就一兩代的差距。目前,中芯國際已經成功掌握 FinFET 技術,只要掌握了 EUV 技術,就可以與臺積電站在同一起跑線上,因為 7nm 以下都是運用的 EUV 技術,中芯國際將在未來 5 年之內有望成為中國內地下一個“臺積電”。
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