体球即时比分网localhost:東芝面向車載應用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

發布時間:2019年12月26日 10:12    發布者:eechina
關鍵詞: N溝道 , 功率MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)推出兩款面向車載48V電氣系統應用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產和出貨計劃于今天開始。

1.jpg
MOSFET產品圖

新產品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構,安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查,從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設備功耗;XPH4R10ANB擁有業界領先的低導通電阻。

應用:
・汽車設備
電源裝置(DC-DC轉換器)和LED頭燈等(電機驅動、開關穩壓器和負載開關)

特性:
・東芝的首款[1]100V車用產品使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝
・通過AEC-Q101認證
・低導通電阻:
RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)
RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)
・采用可焊錫側翼端子結構的SOP Advance(WF)封裝

主要規格:
(除非另有說明,@Ta=25°C)

体球网即时比分陪率 www.503484.live 器件型號

XPH4R10ANBXPH6R30ANB

極性

N溝道

絕對最大額定值漏源極電壓

100

VDSS
(V)
漏極電流7045
(DC)
ID
(A)
漏極電流210135
(脈沖)
IDP
(A)
溝道溫度

175

Tch
(℃)
漏源極導通電阻@VGS=6V6.29.5
RDS(ON)最大值
(mΩ)@VGS=10V4.16.3

溝道至外殼熱阻

0.881.13

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25℃

(℃/W)

封裝

SOP Advance(WF)

產品系列

U-MOSVIII-HU-MOSVIII-H

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aoqzsc 發表于 2020-1-3 14:59:20
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